测试服务
专注于先进的功率半导体芯片技术,提供IGBT等系列化产品及定制服务

一、静态参数测试

设备:B1505A功率器件分析仪 功能:能够对3kV/1500A范围内的高功率器件进行综合性能表征,支持芯片、单管和模块等形式,并可实现在-50°C至+250°C温度范围内进行自动热表征。 适用器件:IGBT、MOSFET、二极管、三极管等硅基及宽禁带半导体器件。 测试模式:I-V、C-V。 电压电流范围:3000V(4mA)、1500A(60V)。 最大功率:22.5kW 测试参数或曲线:Vgs(th)、Vds(on)、Idss、Igss、Vf、Ids-Vds;Ciss、Coss、Crss、Rg。 测试频率:1kHz-5MHz。

二、动态参数测试

设备:动态参数测试系统 功能:对IGBT、MOSFET、FRD等功率器件的动态性能进行综合表征,包括开关特性、短路特性、雪崩耐量、反向恢复特性及栅电荷等,可实现室温至150°C范围的变温测试。 适用器件:IGBT、MOSFET、FRD等功率器件。 测试模式:开关测试、短路测试、雪崩、反向恢复、栅电荷。 电压电流范围: 0~1000V、 0~1200A Vg范围:-15V~15V。 测试参数或曲线:td(on)、tr、td(off)、tf、Eon、Eoff、trr、Qg、tsc、Isc。

三、可靠性测试

高温反偏(HTRB): 功能: 在最大工作结温时,考察器件阻断80%~90%的标称电压时的器件特性,可监测瞬态漏电流的变化。验证长期稳定情况下芯片的泄漏电流变化是否超过限定的范围。 适用器件: IGBT、MOSFET、BJT、SiC器件等。 温度范围: 0~175°C 电压范围: 0~1700V 高温栅偏(HTGB): 功能: 在最大工作结温时,考察栅极承受额定电压偏置情况下的器件特性,可监测瞬态漏电流的变化,验证长期稳定情况下芯片的泄漏电流变化是否超过限定的范围。 适用器件: IGBT、MOSFET、BJT、SiC器件等。 温度范围: 0~175°C 电压范围: 0~80V 功率循环(PC): 功能: 通过功率循环对待测器件施加老化应力,考察器件内部的键合或内部焊层等承受温度变化的能力。 适用器件: IGBT、MOSFET、BJT、SiC器件等。
四、失效分析
开盖(Decap): 功能: 利用激光蚀刻和湿法蚀刻,去除器件的封装体,使封装体内包覆的对象裸露出来,以便测试分析器件内部的芯片、打线和组件等。 芯片去层(Delayer): 功能: 交互使用各种不同处理方式(离子蚀刻/化学药液蚀刻/机械研磨),使芯片本身多层结构一层一层去除,以便观察芯片表面形貌或后续实验。 截面制样(Cross-section): 设备:Poly’Vac真空镶嵌机、MECATECH 234研磨抛光机。
功能: 采用环氧树脂对待测样品进行包埋填充,并通过自动研磨抛光获得清晰完整的样品截面,以便后续开展检测分析。
平面结构分析(OM): 设备:ZEISS A XIO高倍金相显微镜 功能: 能够实现对样品的平面结构进行观察和测量,具有几何参数测量、特征物提取、图像拼接、景深扩展等功能。 物镜倍数: 5X、10X、20X、50X、100X。 目镜倍数: 10X。
微观结构分析 (SEM): 设备:JSM-IT200扫描电子显微镜 功能: 具有一体化能谱仪(EDS)设计,能够对器件、电路板、陶瓷和高分子等材料样品进行微区形貌成像及成份分析,获得高分辨率、高衬度和高信噪比的图像,同时实时显示能谱分析图谱。 放大倍数: 8X-300,000X 能量分辨率: 129eV 元素分析范围: Be4-U92
扩展电阻测试(SRP): 设备:SRP-2100 功能: 扩展电阻测试系统是测量半导体材料电阻率分布、多层器件结构的主要技术,可应用在硅、化合物等半导体材料及器件的测试,特别适合于硅晶体材料、外延材料和各类集成电路器件,不仅可以测试半导体材料,如原生硅晶体、杂质扩散晶体、离子注入晶体和外延晶体(包括蓝宝石衬底等异质衬底)的电阻率及其分布,还可以测试各种器件的电阻率分布,可以分析器件结构,分析器件失效的机理,及确定外延层的厚度和界面杂质的过渡区分布。
X射线检测(2DX-ray): 设备:X射线机
功能: X-ray检测,是当前非破坏检测产品内部缺陷的高效方法,X-ray可检测待测物内部结构及是否有缺陷、空洞(Void)、Crack等异常,如芯片封装中的缺陷、打线完整性、焊点空洞现象检测。
聚集离子束(FIB): 设备:聚焦离子束。
功能: 具备超高分辨率的离子束及电子束的FIB,能针对样品中的微细结构进行纳米尺度的定位及观察。快速的切削速度能有效缩短取得数据的时间,并且能对芯片特定位置作截面断层,以便观测材料的截面结构与材质,定点分析芯片结构缺陷。
微光显微镜 (EMMI): 设备:微光显微镜
功能: EMMI可广泛应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流,包括栅极氧化层缺陷Gate oxide defects)、静电放电破坏(ESD Failure)、闩锁效应(Latch Up)、漏电(Leakage)、结面漏电(Junction Leakage) 、正向偏压(Forward Bias)及在饱和区域工作的晶体管,可借由EMMI定位,找出热点(Hot Spot)位置,进而得知缺陷原因,帮助后续进一步的失效分析。
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