三、可靠性测试
高温反偏(HTRB): 功能: 在最大工作结温时,考察器件阻断80%~90%的标称电压时的器件特性,可监测瞬态漏电流的变化。验证长期稳定情况下芯片的泄漏电流变化是否超过限定的范围。 适用器件: IGBT、MOSFET、BJT、SiC器件等。 温度范围: 0~175°C 电压范围: 0~1700V 高温栅偏(HTGB): 功能: 在最大工作结温时,考察栅极承受额定电压偏置情况下的器件特性,可监测瞬态漏电流的变化,验证长期稳定情况下芯片的泄漏电流变化是否超过限定的范围。 适用器件: IGBT、MOSFET、BJT、SiC器件等。 温度范围: 0~175°C 电压范围: 0~80V 功率循环(PC): 功能: 通过功率循环对待测器件施加老化应力,考察器件内部的键合或内部焊层等承受温度变化的能力。 适用器件: IGBT、MOSFET、BJT、SiC器件等。