IGBT中高压前景广阔,国内需求快速增长

浏览:90 作者: 来源: 时间:2020-02-20 分类:行业新闻

随着新能源汽车产业链的不断发展,IGBT市场空间越来越广阔,其中特别是中高压需求稳中有升。行业业迎来材料升级、市场增长以及企业加速入局的变革。因此在一时刻森未科技最为专业的IGBT设计制作企业,也是需要不断的发展。


IGBT性能优先广泛用于新能源汽车等市场


IGBT性能优先,三代半导体材料崭露头角。IGBT驱动功率小而饱和压降低,性能领先因而广泛应用于新能源汽车、新能源、轨交等市场。IGBT持续在器件纵向结构、栅极结构、晶圆工艺上迭代,同时以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料有望加速产业化应用,未来三年CAGR分别达39%和83%。

市场空间广阔将促进产业格局重塑


近年来,全球功率半导体市场增长趋于停滞(CAGR约3%),IGBT受益新能源汽车及充电桩等行业高景气度,市场增长较快,2018年全球规模约为435.7亿元(同比+17.4%),我国达到161.9亿元(同比+22.2%)。新能源汽车供应链及国产厂商爬升迅速,伴随中国市场扩张和企业布局扩产,有望重塑全球产业格局。


IGBT作为核心元器件大量促进需求


IGBT作为新能源汽车电控和直流充电桩核心元器件,需求随新能源汽车全球化和充电桩直流化快速提升。预计2020-2022年全球新能源汽车IGBT需求量有望达到93亿/130亿/173亿元,CAGR超30%;SiC成本下降有望催化迭代升级,预计MOSFET(SiC)有望在未来2年实现较IGBT(Si基)的系统单位成本优势,建议关注IGBT(SiC)的产业化进程。2030年,中、美、欧直流桩占比有望提升至44%/20%/32%,上述区域新增直流充电桩预计累计带动IGBT需求约1300亿元,潜在市场空间巨大。


中高压IGBT需求长期向好


新能源需求长期向好,轨交及电网基本稳定。2020年全球风光IGBT配套需求预计分别为10.8/15.1亿元,中国市场需求分别为5.2/12.1亿元;预计到2030年,全球新增风电、光伏IGBT自增需求,累计将分别达167/404亿元,潜力巨大。


对于国内IGBT中高压市场随着国内市场需求快速增长,第三代材料应用加速,为国产厂商扩张IGBT能源提供了新的机遇。