岗位职责：

1、负责IGBT、MOSFET、FRD、SIC MOS、SIC SBD/JBS等功率半导体芯片设计与开发工作，含工艺仿真、结构设计、版图绘制和工艺流程制定；
2、负责解决芯片设计与开发过程中的关键设计、仿真、工艺等技术问题，进行芯片性能分析及优化，确保研发项目的顺利进行；
3、相关专利文件撰写及申请；
4、根据需求进行产品变更与维护，实验数据的统计分析；
5、负责维护相关产品领域的研发数据库和设计规则、检查表；
6、负责功率半导体器件新技术、新标准、新工具和新方法学的研究及开发。

任职要求：

1、专业背景/学历：硕士及以上学历（或从业5年以上的重点本科学历），微电子与固体电子、半导体器件与物理等相关专业，具有扎实的物理基础和半导体器件基础；
2、工作经验：功率半导体器件相关工作经验1年（含）以上，有功率器件流片成功工作经验者优先，具有SGT MOSFET、超结(Super Junction) MOSFET、IGBT、SiC-SBD/MOSFET一种或多种设计经验者尤佳；
3、专业知识与技能要求：熟悉MOSFET、IGBT、FRD、SIC mos,SIC SBD等功率半导体器件的开发流程；熟悉半导体封装、FAB晶圆制造工艺流程，了解功率器件二极管、MOS、IGBT内部物理结构；熟悉版图设计（Layout Design）和器件仿真（TCAD Simulation）；了解芯片封装层面的热应力、机械应力仿真，PI/SI仿真内容;
4、具有Fab实际经验和上述功率半导体器件的实际开发/生产经验优先，对芯片可靠性设计以及晶圆工艺，封装，测试有深入理解者优先，有芯片逆向工作分析经验者优先。