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我们专注于
先进的功率半导体国产化

  成都森未科技有限公司(以下简称“森未科技”)成立于2017年7月,先后被认定为国家高新技术企业、成都市集成电路设计企业、成都市高新区雏鹰企业,专注于先进IGBT芯片的国产化。

森未科技核心技术团队由清华大学和中国科学院的博士组成,长期专注于功率半导体器件研发,深耕IGBT芯片技术和产业化近10年,累计取得相关技术专利40多项,成功开发不同电压等级和应用场景的芯片超过100款,是国内产品线覆盖最广的IGBT功率半导体公司之一。森未科技的芯片产品全面采用沟槽栅+场截止技术,并已应用于工业变频、特种电源、感应加热、新能源发电以及新能源车等多个市场领域。

森未科技现有技术团队近30人,以清华大学、中国科学院、四川大学、电子科技大学等高校毕业的博士和硕士研究生组成国内IGBT芯片高水平研发和产业化人才团队,其中博士研究生5人,70%研发人员具有硕士学位,形成了初具规模的研发人才梯队。 器件团队工艺技术积累来自多年在晶圆生产线的一线工作经验,不仅熟悉国内各条晶圆线的工艺条件 ,而且在日本有多年的先进工艺开发经验, 应用团队在中央企业具有超过十年的IGBT应用开发经验, 对IGBT在终端场景的实际应用具有深入的理解。

10

近10年
IGBT研发经验

40

累计取得
40多项技术专利

100

成功开发
超百款IGBT产品

发展历程
  • 高密度、高频、高压IGBT
    2020
  • 第七代IGBT发布
    2019
  • 600-1700V IGBT 系列化
    2018
  • 成都森未科技有限公司成立
    2017
  • 首颗定制化1200V/100A IGBT
    2016
  • 首颗Trench-FS  IGBT
    2015
  • 首颗Trench-NPT  IGBT
    2014
  • 首颗Planar-FS IGBT
    2013
  • 组建技术团队
    2012
企业文化
功率半导体领域领航者

企业愿景

致力于成为国际一流的IGBT产品及方案供应商

核心价值观

专业  创新  诚信  共赢
自主知识产权 IIPR
森未科技拥有多项核心专利,自主研发IGBT系列芯片处于国内领先水平。公司对产品设计和品质严苛追求,不断丰富完善产品系列,为客户提供稳定、专业、高效的解决方案,满足不同领域的客户需求。
截止2020年,公司团队已申请IGBT相关专利超过40项,其中发明专利授权近20项。
合作伙伴
业务分布
森未科技业务覆盖地域由四川、广东逐渐分布至上海、浙江、南京、西安、武汉、山东等地,出口至韩国、日本、新加坡等国家,已成为中国领先的IGBT产品及方案供应商。